
銀導電漿料
適用於氧化鋁(Al₂O₃)、玻璃及氮化鋁(AlN)基板的Ag導電漿料,具備優異的附著力與高可靠性,並可對應600°C至900°C的廣泛燒成條件。

適用於氧化鋁(Al₂O₃)、玻璃及氮化鋁(AlN)基板的Ag導電漿料,具備優異的附著力與高可靠性,並可對應600°C至900°C的廣泛燒成條件。

適用於氮化鋁(AlN)等多種基板的Ag導電漿料,具備優異的附著力與高可靠性,並可對應600°C至900°C的燒成溫度。

CuAgTi活性金屬漿料可與氮化矽(Si₃N₄)等陶瓷基板實現高強度接合,並適用於超厚導電膜形成,兼具優異的接合可靠性與耐久性。

玻璃漿料可形成適用於300°C至400°C高溫環境的耐熱保護層,有助於抑制電阻元件氧化劣化並提升長期可靠性。

適用於1 Ω至10 Ω阻值範圍的CuNi電阻漿料,適合用於電流感測及電源管理晶片電阻,具備優異的阻值穩定性與可靠性。

LaB₆電阻漿料適用於3 Ω至1,000 Ω阻值範圍,在中高阻值區域仍能提供優異的精度與可靠性,適合晶片電阻及各類感測器應用。

MDot™導電銀漿用銀奈米填料可作為導電漿料的燒結助劑,透過低溫製程實現更低電阻率與更高熱傳導性,有助於提升導電性能與可靠性。

MDot™用於印刷電子的導電銀漿與導電銀墨水,可透過低溫製程實現印刷與噴墨電路形成,兼具優異導電性能,適用於各類印刷電子應用。

MDot™被動元件用導電銀漿適用於導電高分子鉭質電容器,可用於電極形成及引線框架接合,兼具優異導電性、低電阻特性與高可靠性。

MDot™晶片接合用銀燒結漿料可於低溫條件下實現燒結,兼具高熱傳導性與優異接合可靠性,適用於半導體晶片接合(Die Attach)應用。