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填孔解決方案

填孔基板

  • 填孔基板サムネイル1
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本公司的填孔技術採用高導電性、低收縮填孔製程,可將銅漿料或銀漿料均勻填充於各種不同結構的導通孔(Via)中。

此技術已廣泛應用於通訊設備用陶瓷封裝基板領域,並以其優異的可靠度與穩定的品質表現獲得市場高度肯定。

我們可提供孔填充半成品基板,並提供從鑽孔、填充到研磨加工的完整服務。 透過一站式製程解決方案,我們協助客戶簡化製程管理流程,同時確保產品品質的一致性與穩定性。

產品詳細資訊

產品特點

  • 高可靠度、高性能填充結構
    均勻的填充可有效減少孔洞(Voids)與間隙的產生,並與基板形成優異的附著力。此結構兼具卓越的電氣可靠度與機械可靠度,特別適用於高密度配線及高散熱性能等高要求應用。

    平整基板表面,提升元件組裝能力
    基板表面可加工至高度平坦化,使元件能夠直接安裝於填孔位置上方。此特性有助於提升電路設計靈活性,並提高基板空間利用效率。

    符合環保法規要求
    符合 RoHS 2 指令要求,在降低環境負擔的同時,可安心應用於各類電子產品及元件製造。

規格

陶瓷基板 陶瓷基板 陶瓷基板 玻璃基板 玻璃基板 有機基板
基板 基板材質  AlN, Al₂O₃, SiN Quartz glass, Alkali-free glass Glass epoxy
尺寸、厚度 2×2~4.5×4.5 inch, 0.2~1.0 mm 2×2~4.5×4.5 inch, 0.2~1.0 mm 2×2~4.5×4.5 inch, 0.2~1.0 mm 
導通孔 填孔金屬 Ag   Cu Ag-Cu alloy Ag Cu Ag
孔徑 Φ0.05~1.0 mm Φ0.05~2.0 mm Φ0.05~1.0 mm Φ0.05~0.5 mm Φ0.05~0.5 mm Φ0.05~0.5 mm
燒結溫度 ~900 ℃ ~900 ℃ ~900 ℃ 500~600 ℃ 400~800 ℃ 200~300 ℃
燒結氣氛 Air N₂ N₂ Air N₂ Air
體積電阻率 3~4 µΩ・cm 5~7 µΩ・cm 10 µΩ・cm 2~4 µΩ・cm 3~6 µΩ・cm 5~8 µΩ・cm
縱橫比 1.0~10.0 1.0~10.0 1.0~10.0 1.0~10.0 1.0~10.0 1.0~10.0
未研磨 填孔區域平坦度 <±30 µm <±30 µm - <±20 µm <±20 µm <±20 µm
LAP研磨 建議研磨餘量* >0.15 mm >0.15 mm >0.15 mm >0.15 mm >0.15 mm >0.15 mm
填孔區域平坦度 <±3 µm  <±3 µm  <±3 µm  <±3 µm  <±3 µm  <±3 µm 
POL研磨 建議研磨餘量* >0.15 mm  >0.15 mm  >0.15 mm  >0.15 mm  >0.15 mm  >0.15 mm 
填孔區域平坦度 <±2 µm  <±2 µm  <±2 µm  - -
導通孔剖面
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導通孔表面
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應用範例

  • 適用於高可靠度與高效散熱需求的封裝基板及模組基板

產品介紹影片

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