CUX™晶片接合用銅燒結漿料
CUX™ 晶片接合用銅燒結漿料
產品詳細資訊
應用範例
可於惰性氣體（N₂）或真空環境下進行接合
無需使用氫氣或甲酸等還原性氣氛，即可在氮氣氣氛或真空條件下完成接合製程，有助於簡化製程流程並提升作業安全性。
低溫燒結特性
可適用於 230°C 的低溫製程，有助於降低製程溫度並提升製程相容性。
高接合可靠度
在下列評估條件下展現優異的接合可靠度：
・銅基板（Cu Substrate）：18 mm × 18 mm
・銅晶片（Cu Chip）：3 mm × 3 mm
・未進行樹脂封裝（Without Resin Molding）
・溫度循環測試：-55°C ↔ 150°C（低溫及高溫條件各保持 30 分鐘）
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燒結條件：100°C、10 分鐘（空氣氣氛）→ 260°C、10 MPa、5 分鐘（N₂ 氣氛）
規格
| 型號 |
電阻率
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DSS（晶片剪切強度）
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導熱係數
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燒結條件
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應用領域
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|---|---|---|---|---|---|
| Y001 | <6μΩ·cm | >30 MPa (230℃, 10MPa, 5min, N₂) | >250 W/m·K | >10MPa, ≧230℃, >5min |
功率元件（晶片接合）
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應用範例
用於功率半導體晶片接合（Die Attach）及半導體模組接合應用
注意事項
- 以上數據為代表性測試值，僅供參考，不作為產品性能或品質保證。
- 產品規格如有變更，恕不另行通知。