高溫燒結漿料

CuNi 電阻漿料

本產品為CuNi 系基底金屬厚膜電阻漿料，即使經過燒結後仍能維持穩定的電阻值表現。

本產品可對應 1 Ω 至 10 Ω 的電阻範圍，若與本公司的銅導電漿料及玻璃漿料搭配使用，能夠形成更高可靠度的燒結膜層，進一步提升元件的電氣性能與耐久性。

此外，本公司亦提供漿料印刷及基板燒結等代工服務，不僅供應材料產品，亦可支援相關製程加工需求。如需進一步了解產品資訊或技術細節，歡迎隨時與我們聯繫。

產品詳細資訊

低 TCR 特性，適用於高精度晶片電阻
本CuNi 系電阻漿料適用於電流檢測及電源管理晶片電阻等應用。憑藉低電阻溫度係數（TCR, Temperature Coefficient of Resistance）特性，可滿足最高達 ±100 ppm 等級的高精度要求。

採用基底金屬（Cu/Ni），具備優異成本效益
相較於 Ag/Pd 合金電阻漿料，Cu/Ni 電阻漿料可有效降低材料成本，有助於提升產品競爭力並降低整體製造成本。

不含環境有害物質
本產品不含鉛等環境有害物質，並符合 RoHS 等環保法規要求，可滿足現代電子產品對環境保護及法規遵循的需求。

系列	型號	片電阻 (Ω/□ @ 20 μm)	TCR (ppm/°C)		黏度 (Pa·s)	燒結後膜厚 (μm)	覆蓋面積 (cm²/g)	建議燒結條件
系列	型號	片電阻 (Ω/□ @ 20 μm)	HTCR	CTCR	黏度 (Pa·s)	燒結後膜厚 (μm)	覆蓋面積 (cm²/g)	建議燒結條件
DH	CNR01DH	10	+500±50	+500±50	30~50	18~20	55	900℃, 10min, in N₂
DH	CNR03DH	30	-100±50	-80±50	30~50	18~20	55	900℃, 10min, in N₂
D	CNR10D	100	-90±50	-70±50	30~50	20~25	68	900℃, 10min, in N₂
	CNR50D	500	-60±50	-30±50	30~50	20~25	76	900℃, 10min, in N₂
	CN1R5D	1,500	-40±50	-10±50	30~50	20~25	80	900℃, 10min, in N₂

DH 系列可與 D 系列產品混合使用，以調整所需的電阻值。

請參閱各產品之安全資料表（SDS）。