TAIWAN
高溫燒成類型導電膏
晶片電阻用CuNi電阻膏
產品詳細資訊
產品特點
-
- 對於銅系材料常見的氧化問題，具備優異的抗氧化性與高可靠性。
- 適用於硫化和離子遷移的對策。
- 適用電阻範圍為 10mΩ～3.0Ω，最適合用於電流檢測與電源管理用晶片電阻。
- 採用卑金屬材料，可替代高成本且價格波動風險大的 Ag-Pd 系電阻材料。
- TCR值低，控制穩定（±50ppm/K），可滿足±100ppm等級的晶片電阻品質要求。
- 完全不含鉛等環境有害物質。
產品結構
Al₂O₃ 基板上的製程案例
-
(1) Al₂O₃ 基板
(2) 銅電極
(3) CuNi 晶片電阻用電阻膏
(4) 保護玻璃層
應用範例
-
- 電流檢測用晶片電阻
- 電源管理用晶片電阻
- 陶瓷加熱器
- 帶電阻元件的陶瓷電路基板
規格
CuNi電阻膏
| 系列 | 型號 | 薄膜電阻 (mΩ/□ @20μmt) |
電阻溫度係數(ppm/°C) | 黏度 (Pa･s) |
燒成膜厚*²(μm) | 塗覆面積（cm²/g） | 建議燒成條件 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HTCR*¹ | CTCR*¹ | |||||||
| DH | CNR01DH | 10 | +500±50 | +500±50 | 30~50 | 18~20 | 55 |
900 °C 10min In N₂ |
| CNR03DH | 30 | -100±50 | -80±50 | 30~50 | 18~20 | 55 |
900 °C 10min In N₂ |
|
| D | CNR10D | 100 | -90±50 | -70±50 | 30~50 | 20~25 | 68 |
900 °C 10min In N₂ |
| CNR50D | 500 | -60±50 | -30±50 | 30~50 | 20~25 | 76 |
900 °C 10min In N₂ |
|
| CN1R5D | 1,500 | -40±50 | -10±50 | 30~50 | 20~25 | 80 |
900 °C 10min In N₂ |
|
| CN3R0D | 4,000 | -10±50 | +30±50 | 30~50 | 20~25 | 82 |
900 °C 10min In N₂ |
|
適用基板： Al₂O₃，對應電極： 銅，塗佈方式： 網版印刷，保存條件： 冷藏
*¹ HTCR:25℃～155℃, CTCR:-55℃～25℃
*² 使用標準網版時，網版規格、線徑： #250-φ30μm，延壓加工，乳劑厚度： 30μm
DH 系列可與 D 系列混合使用，以調整所需的電阻值。
銅膏（電極用）
| 型號 | 電阻率(μΩ･cm) | 黏度(Pa･s) | 燒成膜厚*³(μm) | 塗佈面積（cm²/g） | 建議燒成條件 |
|---|---|---|---|---|---|
| DC019（Surface） | ≦ 4 | 75±25 | Ca. 13 | 85 |
900 °C 10min In N₂ |
| DC019U（Back） | ≦ 4 | 75±25 | Ca. 7 | 150 |
900 °C 10min In N₂ |
適用基板： Al₂O₃， 塗佈方式： 網版印刷， 保存條件： 冷藏
*使用標準網版時
(DC019) 網版規格、線徑： #250-φ30μm，乳劑厚度：10μm
(DC019U) 網版規格、線徑： #400-φ19μm，乳劑厚度：10μm
玻璃膏（保護層用）
| 型號 | 色澤 | 黏度 (Pa･s) | 燒成膜厚*⁴(μm) | 塗佈面積（cm²/g) | 絕緣電阻值(Ω) | 耐酸性*⁵ | 建議燒成條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| OCG12 |
灰白色透明 |
60±30 | Ca. 13 | 250 | 8.0×10¹¹ | <3.0 |
850-900 °C 10min In N₂ |
適用基板： Al₂O₃， 塗佈方式： 網版印刷，保存條件： 冷藏
*⁴ 使用標準網版時，網版規格、線徑：： #400-φ19μm，乳劑厚度： 30μm
*⁵ 評估方式：浸泡於 0.5 wt% 硫酸中 1 小時後的重量減少百分比
注意事項
- 使用時的操作注意事項，請遵守各產品的安全資料表 (SDS)。
備註
- 提供燒成服務。若貴司無氮氣置換爐，歡迎洽詢。
- 上述結果以敝司銅膏作為電極材料，搭配玻璃膏作為保護膜所得。
