nemu

高溫燒成類型導電膏

電阻膏

  • 電阻膏サムネイル1
  • 電阻膏サムネイル1

電阻元件與晶片電阻（SMD）在抗硫化與抑制離子遷移等方面的要求日益提高，其中一項有效對策即為採用銅系導體材料。

銅系導體需在氮氣環境下燒成，目前常用的氧化釕系或 Ag/Pd 合金系電阻膏，在氮氣環境下燒成時，易發生電阻成分或玻璃成分的還原反應，導致材料性質變化，使電阻值不穩定。

我們開發與生產的 Cu/Ni 系等卑金屬厚膜電阻膏可於氮氣環境下燒成，能有效避免電阻值不穩定的問題，特別是對應超低電阻區間的應用也可對應。

提供基板的導電膏印刷服務，歡迎洽詢。

詢問本產品

產品詳細資訊

產品特點

  • 可在氮氣環境下燒製。可和有銅電極或配線的基板併用。
  • 低電阻的 Cu/Ni 系電阻膏特別適用於電流檢測用與電源管理用晶片電阻，
    低 TCR ，可滿足 ±100 ppm 的晶片電阻品質要求。
  • 屬於卑金屬系材料，相較於 Ag/Pd 合金系或氧化釕系電阻材料更具成本優勢。
  • 完全不含鉛等環境有害物質。

應用範例

    • 電流檢測用晶片電阻
    • 電源管理用晶片電阻
    • 陶瓷加熱器
    • 帶電阻元件(膜厚電阻膏)的陶瓷電路基板

規格

CuNi電阻膏

系列 型號

薄膜電阻
(mΩ/□ @20μmt)

 電阻溫度係數
(ppm/°C)		 黏度
(Pa･s)

燒成膜厚*²

(μm)

 塗佈面積（cm2/g） 建議燒成條件
HTCR*¹ CTCR*¹
DH CNR01DH 10 +500±50 +500±50 30~50 18~20 55

900 °C

10min

In N₂
CNR03DH 30 -100±50 -80±50 30~50 18~20 55

900 °C

10min

In N₂
D CNR10D 100 -90±50 -70±50 30~50 20~25 68

900 °C

10min

In N₂
CNR50D 500 -60±50 -30±50 30~50 20~25 76

900 °C

10min

In N₂
CN1R5D 1,500 -40±50 -10±50 30~50 20~25 80

900 °C

10min

In N₂
CN3R0D 4,000 -10±50 +30±50 30~50 20~25 82

900 °C

10min

In N₂

適用基板： Al₂O₃，對應電極： 銅，塗佈方式：網版印刷 ，保存條件： 冷藏
*¹ HTCR：25℃～155℃，CTCR：-55℃～25℃。
*² 使用標準網版時，網版規格、線徑： #250-φ30μm，延壓加工，乳劑厚度： 30μm

DH 系列可與 D 系列混合使用，以調整所需的電阻值。

LaB6電阻膏

系列 型號 薄膜電阻
(mΩ/□ @20μmt)		 電阻溫度係數
(ppm/°C)		 黏度
(Pa･s)

燒成膜厚*²

(μm)

 塗佈面積（cm2/g） 電極 建議燒成條件 適用基板
A LB3A 3 +330 50-100 18-20 96 Cu

850 °C

10min

In N₂

 Al₂O₃
LB10A 10 +170 50-100 18-20 102 Cu

850 °C

10min

In N₂

 Al₂O₃
LB100A 100 +40 50-100 18-20 109 Cu

850 °C

10min

In N₂

 Al₂O₃
LB1kA 1,000 -10 50-100 18-20 114 Cu

850 °C

10min

In N₂

 Al₂O₃
N LB20N 20 +200 50-100 22-25 105 Ag

820 °C

10min

In N₂

 AlN
LB100N 100 +70 50-100 22-25 108 Ag

820 °C

10min

In N₂

 AlN
LB1kN₂ 1,000 +10 50-100 22-25 113 Ag

820 °C

10min

In N₂

 AlN

塗佈方式： 網版印刷，保存條件： 冷藏
*¹ 使用標準網版時 網版規格：#250-φ30μm，乳劑厚度：10μm

注意事項

  • 使用時的操作注意事項，請遵守各產品的安全資料表 (SDS)。

備註

  • 燒成需使用氮氣置換爐。
  • 提供開發、生產中的燒結服務，歡迎洽詢。
  • 上述結果以敝司銅膏作為電極材料，搭配玻璃膏作為保護膜所得。
  • 電阻膏、銅膏、玻璃膏之間具有相容性要求，建議使用敝司的對應產品。
  • 『CUX』為三之星機帶所屬的銅系相關產品商標。

相關產品