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高溫燒成類型導電膏

導電膏(CuAgTi系)

  • 導電膏(CuAgTi系)サムネイル1
  • 導電膏(CuAgTi系)サムネイル1

使用活性金屬銲料 CuAgTi 的厚膜導電膏,適用於與陶瓷基板的接合。

除了氧化鋁、氮化鋁等陶瓷材料外,也適用於氮化矽的接合。

透過在活性金屬膏上堆疊銅膏,可實現超厚膜導體的形成。

也可將活性金屬膏作為接合層,用於陶瓷基板與銅板的貼合。

產品詳細資訊

產品特點

  • 由於金屬膜與基板之間形成穩固的化學接合,對於 Si₃N₄、AlN 基板也具有極佳的附著性。
  • 同時具備優異的耐熱性、耐衝擊性、可靠性。
  • 透過在上層堆疊銅膏,可形成 0.3 mm以上的超厚膜結構。
  • 不含 Pd、Cd 等的有害物質。

產品結構

  • 膜厚 100 μm以下
    膜厚 100 μm以下

    製程
    ① 印刷接合層(AS112)
    ② 印刷接合層上層(DC014GL)
    ③ 燒成(例:850 °C,N₂ 環境)

  • 膜厚 100 μm 或以上
    膜厚 100 μm 或以上

    膜厚 100 μm 或以上,需追加以下製程。
    ④ 印刷增膜層(GL39)
    ⑤ 燒成(例:800 °C,N₂ 環境)

  • 燒成後基板的照片
    燒成後基板的照片

    使用活性金屬膏作為接合層的銅膏厚膜(50 μm)燒成基板。
    (1) 氮化矽
    (2) 銅

  • 斷面 SEM 影像
    斷面 SEM 影像

    接合斷面 SEM 影像
    (1) 銅膜
    (2) 含活性金屬的接合層 (結構式:Ti₅Si₃)
    (3) SiN 基板

應用範例

    • 功率元件用陶瓷散熱電路封裝
    • 需要高可靠性需求的陶瓷電路基板與陶瓷封裝

規格

型號 膜厚 用途 特性 導體成分 接著強度  (N/2mm□) 建議燒成條件 塗佈方式 適用基板
100μm< 100μm≧
AS112

厚膜導體配線、

電極製程(與陶瓷基板接合層)

高接合強度、

高溫環境下的優異耐久性(高熱可靠性)

Ag
Cu
Ti
≧30

850 °C 10min
In N₂

網版印刷 Al₂O₃
AlN
Si₃N₄
DC014GL

厚膜導體配線、

電極製程

表面平滑性佳、

可透過一次印刷形成較大膜厚

Cu - 850 °C 10min
In N₂
網版印刷 Al₂O₃
AlN
Si₃N₄
GL39 -

超厚膜導體配線、

電極製程(積層增膜用)

可透過一次印刷形成較大膜厚 Cu - 800 °C 10min
In N₂
網版印刷 Al₂O₃
AlN
Si₃N₄

注意事項

  • 請在氮氣環境下燒成。
  • 使用時的操作注意事項,請遵守各產品的安全資料表 (SDS)。

備註

  • 提供燒成服務。若貴司無氮氣置換爐,歡迎洽詢。